[其他]半导体装置有效
| 申请号： | 201490001567.4 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN207038515U | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 中田洋辅;石原三纪夫;川濑达也;井本裕儿;浅田晋助;藤野纯司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙)11017 | 代理人： | 韩登营,蒋国伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种焊锡接合结构的半导体装置，既能实现与外部电极的通电性的提高又能实现装置的高可靠性。而且，在本实用新型中，半导体元件上焊锡(21)从表面电极(11)的焊锡接合区域(R11h)至外部电极(31)的焊锡接合区域(R31h)来形成。外部电极(31)具有比其他区域向表面电极(11)的表面侧突出的下垂部(31a)。半导体元件上焊锡(21)具有包括倒圆角(F1)和倒圆角(F2)的端面形状，其中，倒圆角(F1)从表面电极(11)的表面至上方朝向焊锡中心点的方向弯曲；倒圆角(F2)从外部电极(31)的表面至下方朝向焊锡中心点的方向弯曲。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有半导体元件和外部电极，其中，所述半导体元件具有一侧主面和另一侧主面，且在一侧主面上设有具有平坦表面的一侧电极；所述外部电极被设置于所述一侧电极的上方，所述外部电极的表面和所述一侧电极的表面相向，还具有焊锡形成部，该焊锡形成部被形成于所述一侧电极的表面和所述外部电极的表面之间，使所述一侧电极和所述外部电极之间电连接，所述一侧电极和所述外部电极在平面视时重叠的区域的至少一部分被规定为所述一侧电极和所述外部电极各自的表面的第1焊锡接合区域和第2焊锡接合区域，所述外部电极具有比其他区域向所述一侧电极的表面侧突出的下垂部，所述下垂部被设置于包含所述第2焊锡接合区域的区域，且具有随着靠向焊锡中心点而使所述外部电极的表面与所述一侧电极的表面之间的垂直距离缩短的倾斜部，其中所述焊锡中心点为所述第1焊锡接合区域和所述第2焊锡接合区域的中心位置，从所述一侧电极的所述第1焊锡接合区域开始至所述外部电极的所述第2焊锡接合区域形成有所述焊锡形成部，该焊锡形成部具有包括第1弯曲形状和第2弯曲形状的端面形状，其中，所述第1弯曲形状从所述一侧电极的表面至上方朝向所述焊锡中心点的方向弯曲，所述第2弯曲形状从所述外部电极的表面至下方朝向所述焊锡中心点的方向弯曲。
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