[发明专利]阻挡层的去除方法和半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201480082693.1 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107078040B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 贾照伟;肖东风;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种阻挡层的去除方法，该阻挡层包括至少一层钌或钴，该阻挡层的去除方法包括：采用热流蚀刻方法去除形成在半导体结构的非凹进区域上包括钌或钴层的阻挡层。本发明还进一步揭示了一种半导体结构的形成方法，包括：提供一半导体结构，该半导体结构包括介质层、形成在介质层上的硬掩膜层、形成在硬掩膜层和介质层上的凹进区、形成在硬掩膜层上以及凹进区的侧壁和底部上且包括至少一层钌或钴的阻挡层、形成在阻挡层上并填满凹进区的金属层；去除形成在非凹进区域上的金属层和凹进区内的部分金属，并在凹进区内留下一定量的金属；采用热流蚀刻方法去除形成在非凹进区域上且包括钌或钴层的阻挡层和硬掩膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡 去除 方法 半导体 结构 形成 | ||
【主权项】：
一种阻挡层的去除方法，其特征在于，该阻挡层包括至少一层钌或钴，该阻挡层的去除方法包括：采用热流蚀刻方法去除形成在半导体结构的非凹进区域上包括钌或钴层的阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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