[发明专利]阻挡层的去除方法和半导体结构的形成方法有效

申请号：	201480082693.1	申请日：	2014-10-17
公开（公告）号：	CN107078040B	公开（公告）日：	2021-01-15
发明（设计）人：	贾照伟;肖东风;王坚;王晖	申请（专利权）人：	盛美半导体设备(上海)股份有限公司
主分类号：	H01L21/302	分类号：	H01L21/302
代理公司：	上海专利商标事务所有限公司 31100	代理人：	陆嘉
地址：	201203 上海市浦东新***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	阻挡去除方法半导体结构形成
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【权利要求书】：

1.一种阻挡层的去除方法，其特征在于，该去除方法用于20nm或以下的节点工艺，该阻挡层包括至少一层钌或钴，该阻挡层的去除方法包括：采用热流蚀刻方法去除形成在半导体结构的非凹进区域上包括钌或钴层的阻挡层，热流蚀刻所使用的化学气体从以下气体中择一或是包含以下至少一种气体的混合气体：XeF₂、XeF₄、XeF₆。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，热流蚀刻含钌阻挡层的温度为0-400℃。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，热流蚀刻含钌阻挡层的温度为100-350℃。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，热流蚀刻含钌阻挡层的温度为50-120℃。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，热流蚀刻含钌阻挡层的压力为10毫托-20托。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，化学气体的流速为0-50sccm。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，热流蚀刻含钴阻挡层的温度为120-600℃。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，热流蚀刻含钴阻挡层的温度为200-400℃。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该阻挡层还包括另一层材料为钛、氮化钛、钽或氮化钽的阻挡层。

10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一用于20nm或以下的节点工艺的半导体结构，该半导体结构包括介质层、形成在介质层上的硬掩膜层、形成在硬掩膜层和介质层上的凹进区、形成在硬掩膜层上以及凹进区的侧壁和底部上且包括至少一层钌或钴的阻挡层、形成在阻挡层上并填满凹进区的金属层；

去除非凹进区域上的金属层和凹进区内的部分金属，并在凹进区内留下一定量的金属；

采用热流蚀刻方法去除非凹进区域上且包括钌或钴层的阻挡层和硬掩膜层，热流蚀刻所使用的化学气体从以下气体中择一或是包含以下至少一种气体的混合气体：XeF₂、XeF₄、XeF₆。