[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201480077989.4 | 申请日: | 2014-04-14 |
公开(公告)号: | CN106233462B | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 渡边真司;木田刚;小野善宏;森健太郎;坂田贤治;山田裕介 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一个实施方式的半导体器件在第一半导体芯片的第一背面上搭载有第二半导体芯片。另外,第一半导体芯片的上述第一背面中包含:第一区域,在该第一区域形成经由突起电极而与上述第二半导体芯片电连接的多个第一背面电极;以及第二区域,该第二区域比上述第一区域更靠周缘部侧,并且在该第二区域形成第一金属图案。另外,上述第一金属图案相对于上述第一背面的突出高度比上述多个第一背面电极分别相对于上述第一背面的突出高度低。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,其中,所述半导体器件包括:布线基板,其具有第一面、在所述第一面形成的多个第一端子、以及所述第一面的相反侧的第二面;第一半导体芯片,其具有第一表面、在所述第一表面形成的多个第一表面电极、所述第一表面的相反侧的第一背面、在第一背面形成的多个第一背面电极、以及将所述多个第一表面电极与所述多个第一背面电极分别电连接的多个贯穿电极,所述第一半导体芯片以使所述第一表面与所述布线基板的所述第一面相对的方式搭载于所述布线基板上;以及第二半导体芯片,其具有第二表面、在所述第二表面形成的多个第二表面电极、以及所述第二表面的相反侧的第二背面,所述第二半导体芯片以使所述第二表面与所述第一半导体芯片的所述第一背面相对的方式搭载于所述第一半导体芯片上,所述布线基板的所述多个第一端子与所述第一半导体芯片的所述多个第一表面电极经由多个第一突起电极而分别电连接,所述第一半导体芯片的所述多个第一背面电极与所述第二半导体芯片的所述多个第二表面电极经由多个第二突起电极而分别电连接,所述多个第一背面电极形成在所述第一半导体芯片的所述第一背面的第一区域,在比所述第一区域更靠所述第一背面的周缘部侧的第二区域形成第一金属图案,所述第一金属图案相对于所述第一背面的突出高度,比所述多个第一背面电极分别相对于所述第一背面的突出高度低。
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