[发明专利]半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件有效
| 申请号： | 201480055435.4 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105706255B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 梶田康仁;筱塚启;大纮太郎 | 申请（专利权）人： | 王子控股株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人： | 芮玉珠 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够提升在半导体发光元件中的光取出效率的半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件。半导体发光元件用基板(11)具有可形成有包含半导体层的发光构造体的发光构造体形成面(11S)，发光构造体形成面(11S)具备：沿着一个结晶面展开的平坦部(14)、从平坦部(14)突出的多个大径突部(12)、以及小于大径突部(12)的多个小径突部(13)，所述多个小径突部(13)中的至少一部分从所述大径突部(12)的外表面突出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 用基板 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件用基板的制造方法，包含：第一工序，使用第一单粒子膜作为掩模，对基板的上表面进行蚀刻，所述第一单粒子膜是具有第一粒径且被二维最密地填充的第一粒子的单层；以及第二工序，使用第二单粒子膜作为掩模，对基板的所述上表面进行蚀刻，所述第二单粒子膜是具有第二粒径且被二维最密地填充的第二粒子的单层，所述第二粒径与所述第一粒径不同，所述第一粒径小于所述第二粒径，所述制造方法还包括：在所述基板的所述上表面形成所述第一单粒子膜的工序；以及在所述第一工序后，在所述基板的所述上表面形成所述第二单粒子膜的工序。
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