[发明专利]半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件

说明书

本发明提供一种能够提升在半导体发光元件中的光取出效率的半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件。半导体发光元件用基板(11)具有可形成有包含半导体层的发光构造体的发光构造体形成面(11S)，发光构造体形成面(11S)具备：沿着一个结晶面展开的平坦部(14)、从平坦部(14)突出的多个大径突部(12)、以及小于大径突部(12)的多个小径突部(13)，所述多个小径突部(13)中的至少一部分从所述大径突部(12)的外表面突出。

技术领域

本发明涉及半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件。

背景技术

近年来，正在推进例如发光二极管等中利用的半导体发光元件的开发。如专利文献1的记载，半导体发光元件具备基板以及层积于基板上的发光构造体。基板由例如蓝宝石或碳化硅等形成，发光构造体是例如III-V族半导体薄膜的层积体。当电流供给到发光构造体时，发光构造体放射出光线，所放射出的光线则会透过基板而射出到半导体发光元件的外部。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]特开2011-49609号公报

发明内容

[发明所要解决的课题]

另一方面，在发光构造体所生成的光线，会因发光构造体和基板间的折射率的差异，而在发光构造体和基板间的界面产生全反射。由于当这种全反射反复发生时，将造成在发光构造体所生成的光线于发光构造体内部衰减，故而在半导体发光元件中的光取出效率降低。

本发明的目的在于，提供一种可提升在半导体发光元件中的光取出效率的半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板、以及半导体发光元件。

[用于解决课题的手段]

用于解决上述课题的半导体发光元件用基板的制造方法，包含：第一工序，使用由具有第一粒径的第一粒子构成的第一单粒子膜作为掩模，对基板的上表面进行蚀刻；以及第二工序，使用由具有第二粒径的第二粒子构成的第二单粒子膜作为掩模，对基板的所述上表面进行蚀刻，所述第二粒径与所述第一粒径不同。

在上述半导体发光元件用基板的制造方法中，优选还包含：在所述基板的所述上表面形成所述第一单粒子膜的工序；以及在所述第一工序后，在所述基板的所述上表面形成所述第二单粒子膜的工序，在所述第一工序的蚀刻后实施所述第二工序的蚀刻。

在上述半导体发光元件用基板的制造方法中，还包含：在所述第二单粒子膜上层叠所述第一单粒子膜的工序；可以同时实施所述第一工序的蚀刻和所述第二工序的蚀刻。

在上述半导体发光元件用基板的制造方法中，所述第一粒径可以大于所述第二粒径。

在上述半导体发光元件用基板的制造方法中，所述第一粒径可以小于所述第二粒径。

在上述半导体发光元件用基板的制造方法中，优选所述第一粒径为300nm以上且5μm以下，所述第二粒径为100nm以上且1μm以下，所述第二粒径为所述第一粒径的1/50以上且1/3以下。

在上述半导体发光元件用基板的制造方法中，优选所述第一粒径为100nm以上且1μm以下，所述第二粒径为300nm以上且5μm以下，所述第一粒径为所述第二粒径的1/10以上且1/3以下。

在上述半导体发光元件用基板的制造方法中，优选在所述第一工序和所述第二工序中的至少一个工序中，在该工序中作为掩模采用的单粒子膜消失之前，从所述基板的上表面去除该单粒子膜。

在上述半导体发光元件用基板的制造方法中，所述第一粒径小于所述第二粒径，所述第二工序的蚀刻可以在所述第二粒子消失之前终止。