[发明专利]半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件用基板的制造方法，包含：

第一工序，使用第一单粒子膜作为掩模，对基板的上表面进行蚀刻，所述第一单粒子膜是具有第一粒径且被二维最密地填充的第一粒子的单层；以及

第二工序，使用第二单粒子膜作为掩模，对基板的所述上表面进行蚀刻，所述第二单粒子膜是具有第二粒径且被二维最密地填充的第二粒子的单层，所述第二粒径与所述第一粒径不同，

所述第一粒径小于所述第二粒径，

所述制造方法还包括：

在所述基板的所述上表面形成所述第一单粒子膜的工序；以及

在所述第一工序后，在所述基板的所述上表面形成所述第二单粒子膜的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件用基板的制造方法，还包含：

在所述第一工序的蚀刻后实施所述第二工序的蚀刻。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件用基板的制造方法，其中，

所述第一粒径为100nm以上且1μm以下，

所述第二粒径为300nm以上且5μm以下，

所述第一粒径为所述第二粒径的1/10以上且1/3以下。

4.根据权利要求2所述的半导体发光元件用基板的制造方法，其中，

在所述第一工序和所述第二工序中的至少一个工序中，在该工序中作为掩模采用的单粒子膜消失之前，从所述基板的上表面去除该单粒子膜。

5.根据权利要求1所述的半导体发光元件用基板的制造方法，其中，

通过所述第一工序和所述第二工序，在所述基板的上表面形成如下部分：

沿着所述基板的一个结晶面展开的平坦部；

从所述平坦部突出的多个大径突部；以及

小于所述大径突部的多个小径突部，

所述多个小径突部包含从所述大径突部的外表面突出的第一小径突部。

6.根据权利要求5所述的半导体发光元件用基板的制造方法，其中，

所述多个小径突部包含从所述平坦部突出的第二小径突部。

7.根据权利要求5所述的半导体发光元件用基板的制造方法，其中，

所述大径突部具有与所述平坦部连接的基端和前端，而且具有从所述基端朝向所述前端变细的锥体状。

8.根据权利要求5所述的半导体发光元件用基板的制造方法，其中，

所述大径突部具有与所述平坦部连接的基端和前端，而且具有从所述基端朝向所述前端变细且在所述前端具有平坦面的锥台形状。

9.根据权利要求8所述的半导体发光元件用基板的制造方法，其中，

所述第一小径突部在所述大径突部的外表面中位于所述平坦面以外的位置。

10.根据权利要求5所述的半导体发光元件用基板的制造方法，其中，

所述多个小径突部具有与所述多个小径突部突出的面连接的基端和前端，且具有从所述基端朝向所述前端变细的锥体状。

11.根据权利要求5所述的半导体发光元件用基板的制造方法，其中，

所述多个小径突部具有与所述多个小径突部突出的面连接的基端和前端，并具有从所述基端朝向所述前端变细且在所述前端具有平坦面的锥台形状。

12.根据权利要求5所述的半导体发光元件用基板的制造方法，其中，

通过所述第一工序和所述第二工序，在所述基板的上表面进一步形成从所述平坦部突出的桥接部，所述桥接部将在所述平坦部上相邻的各个所述大径突部连结。