[发明专利]实现无缝钴间隙填充的方法

摘要

本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。

主权项

1.一种用于沉积金属层以形成半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：执行阻挡层沉积工艺以在形成于基板中的特征结构界定中沉积阻挡层，其中执行阻挡层沉积工艺包括沉积TiN阻挡层或钛阻挡层；执行润湿层沉积工艺以在所述阻挡层上沉积润湿层；执行循环金属沉积工艺以在所述润湿层上沉积钴金属层，包括以下步骤：将所述基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在所述特征结构界定中沉积所述钴金属层的一部分；将所述钴金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；重复将所述基板暴露于沉积前驱物气体混合物的所述步骤和将所述钴金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的所述步骤，直至达到所述钴金属层的预定厚度；和将所述钴金属层退火。