[发明专利]中空型电子器件密封用片、及中空型电子器件封装体的制造方法有效
| 申请号： | 201480019074.8 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN105074903B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 丰田英志;清水祐作;砂原肇 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/08 | 分类号： | H01L23/08;C09K3/10;H01L23/29;H01L23/31;H03H3/08;H03H9/25 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种中空型电子器件密封用片，其中，将中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121℃、2个大气压下放置20小时后的离子交换水中的氯化物离子浓度、钠离子浓度、磷酸根离子浓度、及硫酸根离子浓度中的至少一者小于规定值。 | ||
| 搜索关键词： | 中空 电子器件 密封 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种中空型电子器件密封用片，其特征在于，制成250μm厚度时的热固化后的透湿度在温度85℃、湿度85％、168小时的条件下为500g/m2·24小时以下，所述中空型电子器件密封用片含有热塑性树脂，所述中空型电子器件密封用片满足下述(a)～下述(d)的至少一者：(a)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121℃、2个大气压下放置20小时之后的所述离子交换水中的氯化物离子浓度以质量基准计小于30ppm，(b)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121℃、2个大气压下放置20小时之后的所述离子交换水中的钠离子浓度以质量基准计小于10ppm，(c)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121℃、2个大气压下放置20小时之后的所述离子交换水中的磷酸根离子浓度以质量基准计小于30ppm，(d)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121℃、2个大气压下放置20小时之后的所述离子交换水中的硫酸根离子浓度以质量基准计小于5ppm。
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