[实用新型]功率芯片互连结构有效
申请号: | 201420655030.1 | 申请日: | 2014-11-05 |
公开(公告)号: | CN204204848U | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 王腾;郑静;常永嘉;董晓伟 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所 34115 | 代理人: | 孙永刚 |
地址: | 230088 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型涉及混合集成电路功率芯片三维焊接互连技术,具体涉及一种功率芯片互连结构,该互连结构包括功率芯片、过渡金属片和铜带或铜框架,互连方法为:先在功率芯片上焊接过度金属片,通过过渡金属片实现功率芯片与基板过铜带的焊接互联。本实用新型采用梯度焊接的方式进行互联,可以在实现混合集成电路的功率芯片低功耗互连的同时,采用铜结构互连提高了互连可靠性,且结构简单,组装容易。 | ||
搜索关键词: | 功率 芯片 互连 结构 | ||
【主权项】:
一种功率芯片互连结构,其特征在于:所述功率芯片为肖特基功率芯片(1),所述肖特基功率芯片(1)的正极与过渡金属片焊接互连,所述肖特基功率芯片(1)的负极与基板(4)表面焊盘(5)焊接互连,所述过渡金属片的上表面与铜带(3)焊接互连,所述铜带(3)又与基板(4)表面焊盘(5)焊接互连。
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