[实用新型]功率芯片互连结构

权利要求书

1.一种功率芯片互连结构，其特征在于：所述功率芯片为肖特基功率芯片（1），所述肖特基功率芯片（1）的正极与过渡金属片焊接互连，所述肖特基功率芯片（1）的负极与基板（4）表面焊盘（5）焊接互连，所述过渡金属片的上表面与铜带（3）焊接互连，所述铜带（3）又与基板（4）表面焊盘（5）焊接互连。

2.根据权利要求1所述的功率芯片互连结构，其特征在于：所述过渡金属片为钼片（2），所述钼片（2）与肖特基功率芯片（1）之间为面接触，所述铜带（3）呈拱形，所述钼片（2）、基板（4）表面焊盘（5）分别在所述拱形铜带（3）的支脚处与该铜带（3）焊接。

3.一种功率芯片互连结构，其特征在于：所述功率芯片为MOS功率芯片（6），所述MOS功率芯片（6）的漏极与金属过渡片焊接互连，所述MOS功率芯片（6）的源极与金属铜框架（8）焊接互连，所述金属过渡片与基板（4）表面焊盘（5）焊接互连，所述金属铜框架（8）与基板（4）表面焊盘（5）焊接互连，所述金属过渡片与金属框架焊接材料的熔点高于MOS功率芯片（6）漏极金属和基板（4）表面焊盘之间的焊接材料。

4.根据权利要求3所述的功率芯片互连结构，其特征在于：所述金属过渡片为铜片（7），所述MOS功率芯片（6）和基板（4）表面焊盘分别焊接在铜片（7）的上下两面即三者为层叠状设置，所述金属铜框架（8）包括两端用于与MOS功率芯片（6）源极、基板（4）表面焊盘（5）进行焊接的平面段以及两平面段之间的拱形连接段。