[实用新型]一种具有自补偿背封层的半导体衬底有效
| 申请号： | 201420390642.2 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN204029812U | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 周源 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅;毛唯鸣 |
| 地址： | 100015 北京市朝阳区东直门*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有自补偿背封层的半导体衬底。该衬底包括：具有第一掺杂浓度的第一导电类型的基片；位于所述基片的下表面和侧壁上具有第二掺杂浓度的第二导电类型的补偿层，第二导电类型不同于第一导电类型；位于所述补偿层外覆盖所述基片下表面和至少部分侧壁的氧化硅层；和位于所述氧化硅层外的本征多晶硅层。根据本实用新型的半导体衬底解决了背面自掺杂效应和边缘效应引起轻掺杂外延气氛反型，从而导致片内边缘或整片生长成同型外延的问题。采用本实用新型的自补偿背封工艺，即使是用常压外延炉满炉生长，仍能保证外延参数满足产品要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 补偿 背封层 半导体 衬底 | ||
【主权项】：
一种具有自补偿背封层的半导体衬底，其特征在于，包括：具有第一掺杂浓度的第一导电类型的半导体基片；位于所述基片的下表面和侧壁上具有第二掺杂浓度的第二导电类型的补偿层，第二导电类型不同于第一导电类型；位于所述补偿层外覆盖所述基片下表面和至少部分侧壁的氧化物层；位于所述氧化物层外的本征多晶硅层。
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