[实用新型]一种具有自补偿背封层的半导体衬底有效
| 申请号： | 201420390642.2 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN204029812U | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 周源 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅;毛唯鸣 |
| 地址： | 100015 北京市朝阳区东直门*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 补偿 背封层 半导体 衬底 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有自补偿背封层的半导体衬底，其特征在于，包括：
具有第一掺杂浓度的第一导电类型的半导体基片；
位于所述基片的下表面和侧壁上具有第二掺杂浓度的第二导电类型的补偿层，第二导电类型不同于第一导电类型；
位于所述补偿层外覆盖所述基片下表面和至少部分侧壁的氧化物层；
位于所述氧化物层外的本征多晶硅层。
2.如权利要求1所述的具有自补偿背封层的半导体衬底，其特征在于，所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度。
3.如权利要求1所述的具有自补偿背封层的半导体衬底，其特征在于，第一掺杂浓度约为2×1019cm-3，第二掺杂浓度大于2×1019cm-3。
4.如权利要求1所述的具有自补偿背封层的半导体衬底，其特征在于，所述基片中包括第一导电类型或第二导电类型的埋层区。
5.如权利要求1所述具有自补偿背封层的半导体衬底，其特征在于，所述氧化物层的厚度为
6.如权利要求1所述具有自补偿背封层的半导体衬底，其特征在于，所述本征多晶硅层的厚度为
7.如权利要求1所述具有自补偿背封层的半导体衬底，其特征在于，所述半导体基片是硅基片，所述氧化物是氧化硅。
8.如权利要求1所述具有自补偿背封层的半导体衬底，其特征在于，所述第一导电类型是N型，第二导电类型是P型；或者所述第一导电类型是P型，第二导电类型是N型。
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