[发明专利]薄膜电容器有效
| 申请号： | 201410844332.8 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752056B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 戈尔拉玛瑞扎·恰吉;马丽安·莫拉迪 | 申请（专利权）人： | 伊格尼斯创新公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 褚海英;曹正建 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种薄膜电容器，其包括：半导体层；第一介电层和第二介电层，二者布置在所述半导体层的相反侧；第一金属层，其在所述第一介电层的与所述半导体层相反的一侧形成第一端子和第二端子，所述第一端子和第二端子中的一者延伸穿过所述第一介电层而与所述半导体层接触，所述第一端子和第二端子与所述第一介电层形成电容器；以及第二金属层，其在所述第二介电层的与所述半导体层相反的一侧形成第三端子。所述第一端子和第二端子可以是源极端子和漏极端子，且所述第三端子可以是栅极端子。所述第一金属层可被分割成形成所述第一端子和第二端子。所述第三端子可与所述第一端子和第二端子中的一者共用。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 半导体层 薄膜电容器 第一金属层 电容器 第二金属层 漏极端子 延伸穿过 源极端子 栅极端子 相反侧 分割 | ||
【主权项】：
一种薄膜电容器，其包括：半导体层，其具有可控电阻；第一介电层和第二介电层，二者布置在所述半导体层的相反侧；第一金属层，其在所述第一介电层的与所述半导体层相反的一侧形成第一端子；第二金属层，其在所述第二介电层的与所述半导体层相反的一侧形成第二端子和第三端子，所述第三端子延伸穿过所述第二介电层而与所述半导体层接触，所述第二端子不与所述半导体层接触；以及电压源，其与所述第一端子和所述第二端子中的一者耦接，以降低所述半导体层的电阻，且所述第一端子和所述第二端子中的另一者与所述半导体层形成电容器。
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