[发明专利]使用双重图案化的自对准纳米线的形成

摘要

本发明涉及一种方法，包括在半导体衬底上方形成图案预留层。该半导体衬底具有主表面。执行第一自对准多重图案化工艺以图案化图案预留层。该图案预留层的剩余部分包括在平行于半导体衬底的主表面的第一方向上延伸的图案预留带。执行第二自对准多重图案化工艺以在平行于半导体衬底的主表面的第二方向上图案化图案预留层。图案预留层的剩余部分包括图案化的部件。图案化的部件用作蚀刻掩模以通过蚀刻半导体衬底来形成半导体纳米线。本发明还提供了利用上述方法形成的集成电路结构。

主权项

1.一种用于形成集成电路结构的方法，包括：在半导体衬底上方形成图案预留层，其中，所述半导体衬底包括主表面；执行第一自对准多重图案化工艺以图案化所述图案预留层，其中，所述图案预留层的剩余部分包括在平行于所述半导体衬底的主表面的第一方向上延伸的图案预留带；执行第二自对准多重图案化工艺以在平行于所述半导体衬底的主表面的第二方向上图案化所述图案预留层，其中，所述图案预留层的剩余部分包括图案化的部件；以及使用所述图案化的部件作为蚀刻掩模以通过蚀刻所述半导体衬底来形成半导体纳米线；其中，所述第一自对准多重图案化工艺和所述第二自对准多重图案化工艺均包括：形成芯轴层；蚀刻所述芯轴层以形成芯轴带，其中，所述第一自对准多重图案化工艺的所述芯轴带具有在所述第一方向上的纵向方向；在所述芯轴层上方形成间隔件层；去除所述间隔件层的水平部分，其中，所述芯轴层的垂直部分形成间隔件；去除所述芯轴带；以及使用所述芯轴带作为蚀刻掩模来蚀刻所述图案预留层。