[发明专利]一种亚微米双台阶图形的制备方法在审
| 申请号： | 201410720462.0 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105655233A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 时文华;付思齐;刘彬;缪小虎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G03F7/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种亚微米双台阶图形的制备方法，包括以下步骤：提供掩膜版，所述掩膜版上设置有若干个图形，提供样品，所述样品放置于所述掩膜版的下方；在所述掩膜版与样品之间设置光刻胶，采用光刻方法对所述样品上的掩膜版进行曝光，形成光刻胶形貌；采用刻蚀方法，将所述光刻胶形貌转移至所述样品上；去除所述光刻胶。本发明提供的一种亚微米双台阶图形的制备方法，通过一次光刻和刻蚀工艺，实现了亚微米图形的制备，同时，利用周期性图形的光学衍射效应，实现了亚微米图形的双台阶制备，具有工艺简单、易于操作、可控性强的特点，降低了制备成本，极大地满足了工艺复杂器件的制备需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微米 台阶 图形 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种亚微米双台阶图形的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供掩膜版(10)，所述掩膜版(10)上设置有若干个图形(11)，提供样品，所述样品放置于所述掩膜版(10)的下方；(2)在所述掩膜版(10)与样品之间设置光刻胶，采用光刻方法对所述样品上的掩膜版(10)进行曝光，形成光刻胶形貌(20)；(3)采用刻蚀方法，将所述光刻胶形貌(20)转移至所述样品上；(4)去除所述光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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