[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种LED芯片，包括：轴向依次设置的PSS衬底、缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层和保护层。本发明还提供一种LED芯片的制作方法。本发明中的芯片N、P电极之间设有直至PSS衬底的凹槽，通过凹槽的设计，在N、P电极之间形成了一些电流隔断层，阻挡了电流在N、P电极之间聚集，能够起到电流阻挡的作用，同时使电流横向扩展到其他区域，减少了电流积聚，能够使电流扩散更均匀，提高了LED芯片的热稳定性能的同时也能延长器件的使用寿命。

主权项

一种LED芯片，其特征在于，包括：轴向依次设置的PSS衬底、缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层和保护层，其中，在所述透明导电层上设有P电极，该P电极轴向延长至贯穿所述保护层，所述N型半导体层上设有N电极，在所述P电极和N电极之间设有轴向直至所述PSS衬底的凹槽，该凹槽的横截面为圆形、椭圆形或正多边形；所述芯片中还设有切割道，该切割道内设有切割道深槽，所述切割道深槽位于所述N电极、P电极的横向延长线上，轴向延伸至所述PSS衬底，所述切割道深槽和凹槽是采用电感耦合等离子体刻蚀的切割道深槽和凹槽，其中，所述刻蚀的工艺参数为：ICP功率为500W，RF功率为80W，腔体压力为5mtorr，BCl₃流量为10sccm，Cl₂流量为50sccm，刻蚀时间为25‑45min；所述透明导电层，是通过蒸发台或者溅射镀膜法镀在所述P型半导体层上，然后经过匀胶、软烤、曝光、显影以及坚膜后，用ITO蚀刻液腐蚀出图形，放入去胶液中浸泡15min，将所述芯片表面的光刻胶洗净，冲水甩干后得到的透明导电层；所述P电极以及N电极，是分别通过蒸发台或者溅射镀膜法分别设置在所述透明导电层以及所述N型半导体层上，然后通过金属剥离的方法去除不需要部分的金属，放入去胶液中浸泡15min，将所述芯片表面的光刻胶洗净，冲水甩干后得到的P电极以及N电极；所述保护层，是通过等离子体增强化学气相沉积法沉积出的保护层。