[发明专利]射频LDMOS及其制作方法有效
| 申请号： | 201410632526.1 | 申请日： | 2014-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN104409500A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频LDMOS，具有侧面接触的第一掺杂类型的体区与第二掺杂类型的漂移区；在体区中具有第二掺杂类型的源区与第一掺杂类型的源端袋形注入区，源端袋形注入区在源区内侧，且源端袋形注入区在栅极正下方；在漂移区中具有第二掺杂类型的漏区与第一掺杂类型的漏端袋形注入区，漏端袋形注入区在漏区内侧。本发明还公开了所述射频LDMOS的制作方法。本发明的射频LDMOS可以解决低导通电阻与低漏电、高击穿电压、低输出电容之间的矛盾。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 ldmos 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种射频LDMOS，具有侧面接触的第一掺杂类型的体区与第二掺杂类型的漂移区；其特征是，在体区中具有第二掺杂类型的源区与第一掺杂类型的源端袋形注入区，源端袋形注入区在源区内侧，且源端袋形注入区在栅极正下方；在漂移区中具有第二掺杂类型的漏区与第一掺杂类型的漏端袋形注入区，漏端袋形注入区在漏区内侧。
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