[发明专利]射频LDMOS及其制作方法

权利要求书

1.一种射频LDMOS，具有侧面接触的第一掺杂类型的体区与第二掺杂类型的漂移区；其特征是，在体区中具有第二掺杂类型的源区与第一掺杂类型的源端袋形注入区，源端袋形注入区在源区内侧，且源端袋形注入区在栅极正下方；在漂移区中具有第二掺杂类型的漏区与第一掺杂类型的漏端袋形注入区，漏端袋形注入区在漏区内侧。

2.根据权利要求1所述的射频LDMOS，其特征是，所述源端袋形注入区的掺杂浓度大于体区。

3.根据权利要求1所述的射频LDMOS，其特征是，所述漏端袋形注入区与漂移区之间形成的PN结的结深小于或等于漏区结深。

4.根据权利要求1所述的射频LDMOS，其特征是，所述第一掺杂类型为p型，第二掺杂类型为n型；漂移区的杂质为磷；源端袋形注入区和漏端袋形注入区的杂质为硼；

或者，所述第一掺杂类型为n型，第二掺杂类型为p型；漂移区的杂质为硼；源端袋形注入区和漏端袋形注入区的杂质为磷或砷。

5.一种射频LDMOS的制作方法，其特征是，在源漏注入之前先采用倾斜角度的袋形离子注入工艺，在第一掺杂类型的体区中形成第一掺杂类型的源端袋形注入区，在第二掺杂类型的漂移区中形成第一掺杂类型的漏端袋形注入区；

然后采用源漏注入工艺，在体区中形成第二掺杂类型的源区，在漂移区中形成第二掺杂类型的漏区；所述源端袋形注入区在源区内侧，且源端袋形注入区在栅极正下方；所述漏端袋形注入区在漏区内侧。

6.根据权利要求5所述的射频LDMOS的制作方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，在衬底上外延生长形成外延层；

第2步，在外延层上先热氧化生长形成栅氧化层，再淀积多晶硅；

第3步，采用光刻和刻蚀工艺仅去除源端窗口的多晶硅；

第4步，采用自对准离子注入工艺对源端窗口正下方及邻近区域的外延层进行离子注入，形成体区；

第5步，采用光刻和刻蚀工艺刻蚀多晶硅形成栅极；

第6步，采用自对准离子注入工艺在外延层中进行轻掺杂漏注入，形成与体区侧面接触的漂移区；

第7步，先采用光刻工艺仅暴露出源端窗口和漏端窗口，再对源端窗口和漏端窗口进行倾斜角度的袋形离子注入形成袋形注入区，最后对源端窗口和漏端窗口进行源漏注入形成源区和漏区；源端袋形注入区位于源区的内侧，且在栅极的正下方；漏端袋形注入区位于漏区的内侧；

第8步，在源区、漏区和栅极上方形成源区金属硅化物、漏区金属硅化物和栅极金属硅化物；

第9步，先在整个硅片淀积一层氧化硅作为栅屏蔽阻挡层，再采用光刻和刻蚀工艺去除掉部分的栅屏蔽阻挡层；剩余的栅屏蔽阻挡层为连续的且有高度差的一整块，覆盖在部分或全部的栅极金属硅化物之上，还位于栅极金属硅化物和栅极的一侧侧壁，还相隔栅氧化层覆盖在除漏区以外的漂移区和漏端袋形注入区之上；

第10步，先在整个硅片淀积一层金属或多晶硅作为栅屏蔽层，再采用光刻和刻蚀工艺去除掉部分的栅屏蔽层；剩余的栅屏蔽层为连续的一整块，覆盖在部分或全部的栅屏蔽阻挡层之上；栅屏蔽层至少在部分的漂移区的上方；

第11步，先采用光刻和刻蚀工艺在源区的位置刻蚀孔或沟槽，其穿越源区金属硅化物、源区、体区、外延层，并抵达到衬底之中，接着在该孔或沟槽中填充金属形成下沉结构。