[发明专利]一种半导体功率器件的背面掺杂区的结构在审
| 申请号： | 201410571144.2 | 申请日： | 2014-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN105895665A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 苏冠创 | 申请（专利权）人： | 南京励盛半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L21/266 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210008 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体功率器件的背面掺杂区的结构，器件的背面包括以下特征：在靠近背面至少有一独立的P+区域12与背面金属接触，在P+区靠近背面金属两旁是N型区17，N型区17厚度小于1um，浓度范围为5×1014/cm3至5×1017/cm3，这N型层与背面金属形成非欧姆接触，有一低掺杂的P型层11把这N型层17与N型缓冲区10分隔开，N型缓冲区离背表面比P型层11和P+区12为深，低掺杂P型层11的离背表面结深比P+区浅，与半导体背面接触为金属电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 背面 掺杂 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体功率器件的背面掺杂区的结构至少包括以下部分：(1)在靠近半导体背面至少有一独立的P+区，宽度大于20um，这P+区的一边与背面金属相连接形成欧姆接触，另一边被N型基区包围，这P+区的掺杂浓度范围为1×1019/cm3至1×1020/cm3；(2)半导体背面有两个不同的掺杂区与背面金属接触，这两个不同的掺杂区是P+区12和N型基区9；(3)背面金属层与半导体背面相连接形成背面电极，其中金属层与P+区12形成欧姆接触，与N型基区9形成非欧姆接触。
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