[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201410555144.3 | 申请日： | 2010-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104576748B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木俊成;坂田淳一郎;大原宏树;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明一个目的是提供一种包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。本发明的另一个目的是以较低成本并且以高生产率制造高可靠性的半导体装置。在一种用于制造半导体装置的方法中，该半导体装置包括使用氧化物半导体层形成具有沟道形成区的半导体层、源极区及漏极区的薄膜晶体管，执行加热处理(用于脱水化或脱氢化的加热处理)，以便提高氧化物半导体层的纯度并减少诸如水分的杂质。另外，在氧气氛下对经历加热处理的氧化物半导体层缓慢冷却。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 氧化物半导体层 加热处理 薄膜晶体管 高可靠性 制造 沟道形成区 半导体层 缓慢冷却 低成本 电特性 漏极区 脱氢化 氧气氛 源极区 脱水 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成栅极电极；在所述栅极电极上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成第一氧化物半导体层；在所述第一氧化物半导体层上形成第二氧化物半导体层；在处理室中在惰性气氛中或在减压下对所述第一氧化物半导体层以及所述第二氧化物半导体层执行第一加热处理；在所述第一加热处理之后，将氧导入所述处理室中，并且在包含氧的气氛中冷却所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层；蚀刻所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层；在所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层上形成导电膜；蚀刻所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述导电膜以形成半导体层、源极区、漏极区、源极电极和漏极电极；以及形成与所述半导体层的一部分接触的氧化物绝缘膜，其中所述源极区和所述漏极区中的每一个包括纳米晶。
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