[发明专利]具有由氮化物半导体制成的缓冲层的半导体器件有效
| 申请号： | 201410427698.5 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104465744B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 石黑哲郎;小谷淳二;中村哲一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 顾晋伟,彭鲲鹏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，其包括在衬底上由氮化物半导体制成的缓冲层；在缓冲层上由氮化物半导体制成的第一半导体层；在第一半导体层上由氮化物半导体制成的第二半导体层；以及形成在第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极，其中缓冲层具有掺杂于其中的包括选自C、Mg、Fe和Co的元素以及选自Si、Ge、Sn和O的元素两者的元素。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氮化物 半导体 制成 缓冲 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在衬底上由氮化物半导体制成的缓冲层；在所述缓冲层上由氮化物半导体制成的第一半导体层；在所述第一半导体层上由氮化物半导体制成的第二半导体层；以及形成在所述第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极，其中，所述缓冲层具有掺杂于其中的包括选自C、Mg、Fe和Co的元素以及选自Si、Ge、Sn和O的元素两者的元素，其中所述缓冲层具有高于所述第一半导体层的所述选自Si、Ge、Sn和O的元素的密度。
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