[发明专利]半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造在审
| 申请号： | 201410419908.6 | 申请日： | 2014-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN105390463A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 天野裕之;三上道孝;冈崎纯一;滨本拓也;中岛伸一郎;山下勉;三苫修一;小野甲介;刘斌;执行裕之 | 申请（专利权）人： | 田中电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;B32B15/02;B32B15/04;B32B9/04;C22C9/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 蔡石蒙;车文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造。本发明的半导体装置用铜合金接合线由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层构成，且铜稀薄镍合金的合金如下组成：将0.1～1.5质量％的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量％以上的高纯度铜(Cu)母材；内部氧化层由使镍氧化物粒子朝向表层的铜氧化物层正下方内部均匀地微细分散的金属不足型氧化铜母材形成；使自由的氧快速移动，以使从表层入侵的氧向内扩散，进而抑制表层正下方的铜氧化物层的不规则的半球状成长，并提升第二接合性。通过使内部氧化层的厚度为该表层氧化物层的60倍以上，确保氧的移动所产生的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 接合 稀薄 镍合金 构造 | ||
【主权项】：
一种半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造，其为在剖面减少率为99％以上的情况下进行连续线拉延，且由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层构成的半导体装置接合用铜稀薄镍合金线，其中，上述表层由氧化物的成长层构成，上述内部氧化层由使氧化镍粒子微细分散于金属不足型氧化铜母材中的层构成，上述铜稀薄镍合金层为使0.1～1.5质量％的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量％以上的铜(Cu)母材的合金层，该半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造的特征为：上述内部氧化层的厚度为上述表面层厚度的60倍以上。
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