[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，包括设置在具有绝缘表面的衬底上的氧化物半导体层；覆盖氧化物半导体层的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的按顺序层叠的第一导电层、第二导电层；覆盖氧化物半导体层、包括栅电极(所述第一导电层及所述第二导电层)的栅极布线的绝缘膜；以及在绝缘膜上的按顺序层叠第三导电层、第四导电层的电连接到氧化物半导体层。所述栅电极使用第一导电层形成。所述栅极布线使用第一导电层和第二导电层形成。源电极使用第三导电层形成。源极布线使用第三导电层和第四导电层形成。

主权项

一种用于制造半导体装置的方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一氧化物半导体膜和第二氧化物半导体膜；在所述第一氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体膜上形成氮化硅膜；在所述氮化硅膜上形成氧化硅膜；除去所述氧化硅膜的一部分；在所述氧化硅膜上形成具有透光性的导电膜；在所述第一氧化物半导体膜上通过使用多级灰度掩模形成第一抗蚀剂掩模；在所述第二氧化物半导体膜上通过使用所述多级灰度掩模形成第二抗蚀剂掩模；以及对所述第一和第二抗蚀剂掩模进行灰化以减小该第一和第二抗蚀剂掩模的尺寸。