[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种用于制造半导体装置的方法，包括以下步骤：

在衬底上形成第一氧化物半导体膜和第二氧化物半导体膜；

在所述第一氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体膜上形成氮化硅膜；

在所述氮化硅膜上形成氧化硅膜；

除去所述氧化硅膜的一部分；

在所述氧化硅膜上形成具有透光性的导电膜；

在所述第一氧化物半导体膜上通过使用多级灰度掩模形成第一抗蚀剂掩模；

在所述第二氧化物半导体膜上通过使用所述多级灰度掩模形成第二抗蚀剂掩模；以及

对所述第一和第二抗蚀剂掩模进行灰化以减小该第一和第二抗蚀剂掩模的尺寸。

2.一种用于制造半导体装置的方法，包括以下步骤：

在衬底上形成第一氧化物半导体膜和第二氧化物半导体膜；

在所述第一氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体膜上形成铜膜；

在所述铜膜上通过使用多级灰度掩模形成第一抗蚀剂掩模和第二抗蚀剂掩模；

使用所述第一抗蚀剂掩模对所述铜膜进行蚀刻，以形成第一铜电极；

使用所述第二抗蚀剂掩模对所述铜膜进行蚀刻，以形成第二铜电极；

对所述第一和第二抗蚀剂掩模进行灰化以减小该第一和第二抗蚀剂掩模的尺寸；

在所述第一铜电极和所述第二铜电极上形成第一绝缘膜；

在所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；

除去所述第二绝缘膜的一部分；以及

在所述第二绝缘膜上形成具有透光性的导电膜。

3.一种用于制造半导体装置的方法，包括以下步骤：

在衬底上形成第一氧化物半导体膜和第二氧化物半导体膜；

在所述第一氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体膜上形成铜膜；

在所述铜膜上通过使用多级灰度掩模形成第一抗蚀剂掩模和第二抗蚀剂掩模；

使用所述第一抗蚀剂掩模对所述铜膜进行蚀刻，以形成第一铜电极；

使用所述第二抗蚀剂掩模对所述铜膜进行蚀刻，以形成第二铜电极；

对所述第一和第二抗蚀剂掩模进行灰化以减小该第一和第二抗蚀剂掩模的尺寸；

在所述第一铜电极和所述第二铜电极上形成氮化硅膜；

在所述氮化硅膜上形成绝缘膜；

除去所述绝缘膜的一部分；以及

在所述绝缘膜上形成具有透光性的导电膜。

4.如权利要求1至3中任一项所述的用于制造半导体装置的方法，其特征在于，

所述具有透光性的导电膜是氧化铟锡(ITO)膜。

5.如权利要求1至3中任一项所述的用于制造半导体装置的方法，其特征在于，

所述多级灰度掩模是半色调掩模。

6.如权利要求1至3中任一项所述的用于制造半导体装置的方法，其特征在于，

所述灰化步骤通过使用氧等离子体来执行。

7.如权利要求1至3中任一项所述的用于制造半导体装置的方法，其特征在于，

所述第一氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体膜都各自包括铟、镓、和锌。

8.如权利要求1至3中任一项所述的用于制造半导体装置的方法，其特征在于，

所述半导体装置包括电容器部，该电容器部包括所述第二氧化物半导体膜和具有透光性的第二导电膜，该具有透光性的第二导电膜通过与所述具有透光性的导电膜相同的工艺形成，

其中，所述第二氧化物半导体膜通过与所述第一氧化物半导体膜相同的工艺形成。