[发明专利]FinFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201410403240.6 | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104134698B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 李迪 | 申请（专利权）人： | 唐棕 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 421002 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 公开了一种FinFET及其制造方法。FinFET包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的第一掺杂类型的穿通阻止层；位于穿通阻止层上的半导体鳍片；与半导体鳍片相交的栅叠层，栅叠层包括栅极导体和栅极电介质，栅极电介质位于栅极导体和半导体鳍片之间；在半导体鳍片与栅叠层相邻的部分中形成的第二掺杂类型的源区和漏区，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反，源区和漏区分别包括顶部和侧面；分别与源区和漏区相接触的源接触和漏接触，其中，源接触与源区的顶部表面接触以及源区的侧面的至少一部分隔开，漏接触与漏区的顶部表面接触以及漏区的侧面的至少一部分隔开。FinFET避免源/漏区和穿通阻止层之间的短接，提高FinFET的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种FinFET，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的第一掺杂类型的穿通阻止层；位于穿通阻止层上的半导体鳍片；与半导体鳍片相交的栅叠层，所述栅叠层包括栅极导体和栅极电介质，栅极电介质位于栅极导体和半导体鳍片之间；在半导体鳍片与栅叠层相邻的部分中形成的第二掺杂类型的源区和漏区，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反，所述源区和漏区分别包括顶部和侧面；以及分别与源区和漏区相接触的源接触和漏接触，其中，所述源接触与所述源区的顶部表面接触以及与所述源区的侧面的至少一部分隔开，以及，所述漏接触与所述漏区的顶部表面接触以及与所述漏区的侧面的至少一部分隔开。
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