[发明专利]FinFET及其制造方法

权利要求书

1.一种FinFET，包括：

半导体衬底；

位于半导体衬底上的第一掺杂类型的穿通阻止层；

位于穿通阻止层上的半导体鳍片；

与半导体鳍片相交的栅叠层，所述栅叠层包括栅极导体和栅极电介质，栅极电介质位于栅极导体和半导体鳍片之间；

位于半导体鳍片的两侧的第一绝缘层，所述第一绝缘层的顶部表面低于所述半导体鳍片的顶部表面，并且所述第一绝缘层将栅叠层与穿通阻止层隔开；

在半导体鳍片与栅叠层相邻的部分中形成的第二掺杂类型的源区和漏区，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反，所述源区和漏区分别包括顶部和侧面；以及

分别与源区和漏区相接触的源接触和漏接触，

其中，所述源接触与所述源区的顶部表面接触以及与所述源区的侧面的至少一部分隔开，以及，所述漏接触与所述漏区的顶部表面接触以及与所述漏区的侧面的至少一部分隔开。

2.根据权利要求1所述的FinFET，还包括位于所述源区的侧面的所述至少一部分上的源侧墙，以及，位于所述漏区的侧面的所述至少一部分上的漏侧墙。

3.根据权利要求1所述的FinFET，还包括位于第一绝缘层上的第二绝缘层，其中，所述源接触和所述漏接触分别形成在第二绝缘层的开口中，并且第二绝缘层与所述源区的侧面的所述至少一部分以及所述漏区的侧面的所述至少一部分接触。

4.根据权利要求1所述的FinFET，还包括从半导体鳍片的顶部表面和侧面生长的外延半导体层，所述外延半导体层横向扩展，并且所述源接触和所述漏接触分别与外延半导体层接触。

5.一种制造FinFET的方法，包括：

通过第一离子注入，在半导体衬底中形成第一掺杂类型的穿通阻止层和位于穿通阻止层上方的上部半导体层；

将上部半导体层图案化成半导体鳍片；

在半导体鳍片的两侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层的顶部表面低于所述半导体鳍片的顶部表面，并且所述第一绝缘层将栅叠层与穿通阻止层隔开；

形成与半导体鳍片相交的栅叠层，所述栅叠层包括栅极导体和栅极电介质，栅极电介质位于栅极导体和半导体鳍片之间；

在半导体鳍片与栅叠层相邻的部分中，形成第二掺杂类型的源区和漏区，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反，所述源区和漏区分别包括顶部和侧面；以及

形成分别与源区和漏区相接触的源接触和漏接触，

其中，所述源接触与所述源区的顶部表面接触以及与所述源区的侧面的至少一部分隔开，以及，所述漏接触与所述漏区的顶部表面接触以及与所述漏区的侧面的至少一部分隔开。

6.根据权利要求5所述的方法，在形成源区和漏区的步骤与形成源接触和漏接触的步骤之间，还包括：

在所述源区的侧面的所述至少一部分上形成源侧墙；以及，

在所述漏区的侧面的所述至少一部分上形成漏侧墙。

7.根据权利要求5所述的方法，在形成源区和漏区的步骤与形成源接触和漏接触的步骤之间，还包括：

在第一绝缘层上形成第二绝缘层，

其中，所述源接触和所述漏接触分别形成在第二绝缘层的开口中，并且第二绝缘层与所述源区的侧面的所述至少一部分以及所述漏区的侧面的所述至少一部分接触。

8.根据权利要求5所述的方法，在形成源区和漏区的步骤与形成源接触和漏接触的步骤之间，还包括：

从半导体鳍片的顶部表面和侧面生长外延半导体层，

其中，所述外延半导体层横向扩展，并且所述源接触和所述漏接触分别与外延半导体层接触。