[发明专利]一种基于铝阳极氧化技术的高密度转接板及其制造方法有效
| 申请号： | 201410394975.7 | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN104201163B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘米丰;丁蕾;杨旭一;王立春 | 申请（专利权）人： | 上海航天电子通讯设备研究所 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200082 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于铝阳极氧化技术的高密度转接板及其制造方法，该高密度转接板包括微穿孔铝基板，薄膜互连层以及BGA结构，其中微穿孔铝基板包括多孔铝结构、金属柱阵列、埋铝互连层以及铝通柱。该制造方法包括以下步骤提供一表面抛光铝基板，进行多孔型阳极氧化，形成多孔铝结构，在多孔铝结构的孔隙中形成金属柱阵列，在铝基板中形成埋铝互连层和铝通柱，形成微穿孔铝基板；在微穿孔铝基板第二表面形成薄膜互连层；在微穿孔铝基板的第一表面和薄膜互连层表面形成BGA 结构。本发明提供的基于铝阳极氧化技术的高密度转接板及其制造方法，能够满足微米级高密度三维互连的需求，此外该转接板还具备优异的散热性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 阳极 氧化 技术 高密度 转接 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于铝阳极氧化技术的高密度转接板，其特征在于，包括：微穿孔铝基板，其包括多孔铝结构、金属柱阵列、埋铝互连层以及铝通柱，其中：所述金属柱阵列填充在需互连区域的所述多孔铝结构的孔隙中，所述埋铝互连层埋置在所述微穿孔铝基板中，所述铝通柱连通所述埋铝互连层和所述微穿孔铝基板的第二表面；薄膜互连层，覆盖在所述微穿孔铝基板的第二表面，包括金属互连线、介质层以及通孔，所述金属互连线位于所述微穿孔铝基板第二表面，所述介质层覆盖在所述微穿孔铝基板的第二表面上，所述通孔连通所述金属互连线和所述介质层的表面；BGA结构，形成在所述微穿孔铝基板的第一表面和所述薄膜多层互连结构的表面需互连的区域，包括凸点下金属层和所述凸点下金属层表面的金属球。
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