[发明专利]混合键合工艺中的半导体散热结构和方法在审
| 申请号： | 201410391293.0 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104201157A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 梅绍宁;程卫华;朱继锋;陈俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/58 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种混合键合工艺中的半导体散热方法和结构，所述方法包括：提供两片需要进行混合键合工艺的晶圆，每个所述晶圆中均设置有若干金属器件结构层；在至少一个所述晶圆中设置有一散热层，所述散热层设置于至少一层所述金属器件结构层上方的空闲区域中，所述散热层与位于其下方的相邻的一层所述金属器件结构层连通；其中，每个所述散热层的材质均为热的良导体。本发明可以使得键合过程中产生的热量进行均匀地传递和分布，在一定程度上阻隔了热辐射的传递，从而避免了热量堆积于芯片中某一位置而导致器件的良率降低等问题的出现；另一方面，采用本发明的半导体结构还能够起到屏蔽电磁辐射的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 工艺 中的 半导体 散热 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种混合键合工艺中的半导体散热方法，其特征在于，所述方法包括：提供两片需要进行混合键合工艺的晶圆，每个所述晶圆中均设置有若干金属器件结构层；在至少一个所述晶圆中设置有一散热层，所述散热层设置于至少一层所述金属器件结构层上方的空闲区域中，且该散热层与位于其下方的相邻的一层所述金属器件结构层连通；其中，每个所述散热层的材质均为热的良导体。
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