[发明专利]多芯片结构及其形成方法

摘要

本发明提供了一种器件，包括堆叠在一起的第一芯片和第二芯片以形成多芯片结构，其中，多个芯片结构嵌入在封装层内。该器件还包括形成在封装层的第一侧的顶面上的重分布层，其中，重分布层连接至第一芯片的有源电路和第二芯片的有源电路，并且重分布层延伸超出第一芯片和第二芯片中的至少一个边缘。本发明还提供了一种形成该器件的方法。

主权项

一种半导体器件，包括：扇出结构，包括：重分布层，设置在所述扇出结构的第一侧上；介电层，设置在所述重分布层的上方；和多个第一凸块，设置在所述介电层上方并且位于所述扇出结构的第二侧上；第一芯片，设置在所述扇出结构的第一侧上方，其中，所述第一芯片包括连接至所述重分布层的多个第一通孔；第二芯片，设置在所述第一芯片的上方，其中，所述第二芯片通过多个第二凸块连接至所述第一芯片；以及模塑料层，设置在所述扇出结构的第一侧的上方，其中，所述第一芯片和所述第二芯片均嵌入至所述模塑料层内，并且所述第一芯片的至少一个边缘与所述第二芯片的相应边缘并未垂直对齐，所述第一芯片的一个侧壁和所述第二芯片的一个侧壁暴露在所述模塑料层的外部。