[发明专利]一种半导体电路在审

专利信息
申请号: 201410341557.1 申请日: 2011-05-17
公开(公告)号: CN104201174A 公开(公告)日: 2014-12-10
发明(设计)人: 陈永初;陈信良 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H02H9/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种半导体电路,包括一控制电路、一输出级电路和一保护电路。其中,该输出级电路具有一输出端点并电性连接至该控制电路,该输出级电路包括一第一横向扩散MOS晶体管(LDMOS)及一第二LDMOS;该保护电路包括一第一双载子接面晶体管(BJT)、一第一肖特基二极管以及一第二肖特基二极管。第一肖特基势垒覆盖于第一基区的一部分与第一掺杂区的一部分。第二肖特基势垒覆盖于第二基区的一部分与第二掺杂区的一部分。
搜索关键词: 一种 半导体 电路
【主权项】:
一种半导体电路,包括:一控制电路;一输出级电路,具有一输出端点并电性连接至该控制电路,该输出级电路包括:一第一横向扩散MOS晶体管(LDMOS),该第一LDMOS的一第一端接收一工作电压,该第一LDMOS的一第二端耦接至该输出端点,该第一LDMOS的一控制端受控于该控制电路;及一第二LDMOS,该第二LDMOS的一第一端耦接至该输出端点,该第二LDMOS的一第二端接收一地电压,该第二LDMOS的一控制端受控于该控制电路;以及一保护电路,包括:一第一双载子接面晶体管(BJT),该第一BJT的一基极与一射极耦接至该输出端点,该第一BJT的一集极接收该工作电压;一第二BJT,该第二BJT的一集极耦接至该输出端点,该第二BJT的一基极与一射极接收该地电压;一第一肖特基二极管,该第一肖特基二极管的一阳极耦接至该第一BJT的该射极,该第一肖特基二极管的一阴极耦接至该第一BJT的该集极;以及一第二肖特基二极管,该第二肖特基二极管的一阳极耦接至该第二BJT的该射极,该第二肖特基二极管的一阴极耦接至该第二BJT的该集极。
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