[发明专利]一种半导体电路在审
| 申请号： | 201410341557.1 | 申请日： | 2011-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN104201174A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 陈永初;陈信良 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 电路 | ||
1.一种半导体电路，包括：
一控制电路；
一输出级电路，具有一输出端点并电性连接至该控制电路，该输出级电路包括：
一第一横向扩散MOS晶体管(LDMOS)，该第一LDMOS的一第一端接收一工作电压，该第一LDMOS的一第二端耦接至该输出端点，该第一LDMOS的一控制端受控于该控制电路；及
一第二LDMOS，该第二LDMOS的一第一端耦接至该输出端点，该第二LDMOS的一第二端接收一地电压，该第二LDMOS的一控制端受控于该控制电路；以及
一保护电路，包括：
一第一双载子接面晶体管(BJT)，该第一BJT的一基极与一射极耦接至该输出端点，该第一BJT的一集极接收该工作电压；
一第二BJT，该第二BJT的一集极耦接至该输出端点，该第二BJT的一基极与一射极接收该地电压；
一第一肖特基二极管，该第一肖特基二极管的一阳极耦接至该第一BJT的该射极，该第一肖特基二极管的一阴极耦接至该第一BJT的该集极；以及
一第二肖特基二极管，该第二肖特基二极管的一阳极耦接至该第二BJT的该射极，该第二肖特基二极管的一阴极耦接至该第二BJT的该集极。
2.根据权利要求1所述的半导体电路，其中该保护电路更包括：
一第三BJT，该第三BJT的一基极与一射极耦接至该输出端点，该第三BJT的一集极接收该工作电压；以及
一第四BJT，该第四BJT的一集极耦接至该输出端点，该第四BJT的一基极与一射极接收该地电压。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
