[发明专利]半导体元件及制造半导体元件的方法有效
| 申请号： | 201410332343.8 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104465764B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 金荣载 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;谭昌驰 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种半导体元件和制造半导体元件的方法。半导体元件包括具有沟槽的有源区、在有源区外侧的端子区、设置在有源区和端子区之间的过渡区，过渡区包括内侧沟槽，其中，中心多晶硅电极设置在有源区的沟槽中的至少一个沟槽的内，至少两个栅极多晶硅电极邻近于中心多晶硅电极的上部设置，p‑本体区设置在沟槽的上部之间，源区设置在栅极多晶硅电极的侧面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，所述半导体元件包括：有源区，包括沟槽；端子区，在有源区外侧；过渡区，设置在有源区和端子区之间，过渡区包括内侧沟槽，其中，中心多晶硅电极设置在有源区的沟槽中的至少一个沟槽内；至少两个栅极多晶硅电极，邻近于中心多晶硅电极的上部设置；p‑本体区，设置在沟槽的上部之间；源区，设置在栅极多晶硅电极的侧面；沟道阻绝区，设置在端子区中，沟道阻绝区包括通孔；等电位环金属，设置在沟道阻绝区上方，等电位环金属通过包括在沟道阻绝区中的通孔电连接到沟道阻绝区，其中，通孔贯穿沟道阻绝区；以及等电位环电极，设置在氧化物层上和等电位环金属下方，其中，等电位环电极经由通孔与等电位环金属电连接。
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