[发明专利]半导体元件及制造半导体元件的方法

说明书

提供一种半导体元件和制造半导体元件的方法。半导体元件包括具有沟槽的有源区、在有源区外侧的端子区、设置在有源区和端子区之间的过渡区，过渡区包括内侧沟槽，其中，中心多晶硅电极设置在有源区的沟槽中的至少一个沟槽的内，至少两个栅极多晶硅电极邻近于中心多晶硅电极的上部设置，p‑本体区设置在沟槽的上部之间，源区设置在栅极多晶硅电极的侧面。

本申请要求于2013年9月12日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0109440号韩国专利申请的权益，该申请的全部公开通过各种目的的引用包含于此。

技术领域

下面的描述涉及一种半导体元件和一种制造该半导体元件的方法，并且涉及一种三多晶硅(triple poly)结构的半导体元件和一种制造该半导体元件的方法。

背景技术

三多晶硅结构的半导体元件在一个沟槽中具有多个栅极多晶硅(gate poly)和一个中心多晶硅(center poly)。

由于在对中心多晶硅的上部和p-本体区(p-body region)的上部进行接触蚀刻的工艺过程中，在利用单独的掩模形成通孔之后，通孔可以与顶部金属连接，因此这种半导体元件和制造该半导体元件的方法的局限性在于整个工艺复杂。

此外，如果照例通过单独的掩模对上部金属执行接触工艺，则发生因此导致的严重的金属差异，因此，可能会对后续工艺之后进行的工艺带来大量的困难。

发明内容

本发明内容用于以简化的形式介绍下面在具体实施方式中进一步描述的概念的选择。本发明内容不意图确定要求保护的主题的关键特征或重要特征，也不意图用于帮助确定要求保护的主题的范围。

在一个总体方面，半导体元件包括具有沟槽的有源区、在有源区外侧的端子区、设置在有源区和端子区之间的过渡区，过渡区包括内侧沟槽，其中，中心多晶硅电极设置在有源区的沟槽中的至少一个沟槽内，至少两个栅极多晶硅电极邻近于中心多晶硅电极的上部设置，p-本体区设置在沟槽的上部之间，源区设置在栅极多晶硅电极的侧面。

有源区、过渡区和端子区可以设置在基底中，端子区可以不包括沟槽。

半导体元件的总体方面还可以包括从过渡区的内侧沟槽延伸到端子区的延伸的栅极多晶硅电极。

源极金属可以电连接中心多晶硅电极和源区。栅极金属可以电连接延伸的栅极多晶硅电极。源极金属可以大体上与栅极金属共面。

源极金属可以通过通孔电连接中心多晶硅电极和源区。

源极金属可以包括铝，通孔可以包含钨，包括钛或氮化钛的势垒金属可以设置在源极金属和通孔的底表面处。

包括高温低压沉积(HLD)氧化物膜和硼磷硅酸盐(BPSG)膜的绝缘膜可以设置在通孔之间。

等电位环金属可以设置成在端子区的外围处与源极金属和栅极金属大体上共面。

沟道阻绝区可以设置在基底的位于等电位环金属下方的表面处。

等电位环金属可以被构造成通过经由贯穿沟道阻绝区的通孔与基底连接来等电位。

沟道阻绝区可以是n+区。

氧化物层可以设置在延伸的栅极多晶硅电极下。

氧化物层可以从有源区的沟槽中的至少一个沟槽处延伸到端子区。

中心多晶硅电极可以设置在过渡区的内侧沟槽中，栅极多晶硅电极设置在过渡区的在比端子区更靠近有源区的区域中的内侧沟槽中。

源区可以没有设置在与形成在内侧沟槽中的栅极多晶硅电极共享的p-本体区处。

p+区可以设置在通孔的底表面处。