[发明专利]半导体元件及制造半导体元件的方法

权利要求书

1.一种半导体元件，所述半导体元件包括：

有源区，包括沟槽；

端子区，在有源区外侧；

过渡区，设置在有源区和端子区之间，过渡区包括内侧沟槽，

其中，中心多晶硅电极设置在有源区的沟槽中的至少一个沟槽内；

至少两个栅极多晶硅电极，邻近于中心多晶硅电极的上部设置；

p-本体区，设置在沟槽的上部之间；

源区，设置在栅极多晶硅电极的侧面；

沟道阻绝区，设置在端子区中，沟道阻绝区包括通孔；

等电位环金属，设置在沟道阻绝区上方，等电位环金属通过包括在沟道阻绝区中的通孔电连接到沟道阻绝区，其中，通孔贯穿沟道阻绝区；以及

等电位环电极，设置在氧化物层上和等电位环金属下方，其中，等电位环电极经由通孔与等电位环金属电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，有源区、过渡区和端子区设置在基底中，端子区不包括沟槽。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，所述半导体元件还包括从过渡区的所述内侧沟槽延伸到端子区的延伸的栅极多晶硅电极。

4.根据权利要求3所述的半导体元件，其中，源极金属电连接中心多晶硅电极和源区，

栅极金属电连接延伸的栅极多晶硅电极，以及

源极金属大体上与栅极金属共面。

5.根据权利要求4所述的半导体元件，其中，源极金属通过通孔电连接中心多晶硅电极和源区。

6.根据权利要求5所述的半导体元件，其中，源极金属包括铝，通孔包含钨，包括钛或氮化钛的势垒金属设置在源极金属和通孔的底表面处。

7.根据权利要求6所述的半导体元件，其中，包括高温低压沉积氧化物膜和硼磷硅酸盐玻璃膜的绝缘膜设置在通孔之间。

8.根据权利要求4所述的半导体元件，其中，等电位环金属设置成在端子区的外围处与源极金属和栅极金属大体上共面。

9.根据权利要求8所述的半导体元件，其中，沟道阻绝区设置在基底的表面处。

10.根据权利要求9所述的半导体元件，其中，沟道阻绝区是n+区。

11.根据权利要求3所述的半导体元件，其中，氧化物层设置在延伸的栅极多晶硅电极下方。

12.根据权利要求11所述的半导体元件，其中，氧化物层从有源区中的沟槽中的至少一个沟槽延伸到端子区。

13.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，中心多晶硅电极设置在过渡区的内侧沟槽中，栅极多晶硅电极设置在过渡区的在比端子区更靠近有源区的区域中的内侧沟槽中。

14.根据权利要求13所述的半导体元件，其中，源区没有设置在与形成在内侧沟槽中的栅极多晶硅电极共享的p-本体区处。

15.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，p+区设置在通孔的底表面处。

16.根据权利要求15所述的半导体元件，其中，保护层设置在源极金属、栅极金属和等电位环金属上。

17.根据权利要求16所述的半导体元件，其中，保护层包括氮化物膜。

18.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，栅极绝缘膜设置在沟槽的侧面和栅极多晶硅电极中的至少一个栅极多晶硅电极之间以及栅极多晶硅电极和中心多晶硅电极之间，其中，栅极绝缘膜在栅极多晶硅电极和中心多晶硅电极之间比在沟槽的侧面和所述至少一个栅极多晶硅电极之间厚。