[发明专利]用于形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的机制有效
| 申请号： | 201410315681.0 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104617078B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 任启中;许嘉伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的机制。提供了用于形成具有金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的半导体器件的机制的实施例。MIM电容器结构包括衬底、和形成在衬底上的MIM电容器。MIM电容器包括形成在衬底上方的底电极。底电极是顶部金属层。MIM电容器还包括形成在底电极上的绝缘层、和形成在绝缘层上的顶电极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 金属 绝缘体 mim 电容器 结构 机制 | ||
【主权项】：
一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构，包括：衬底，其中，所述衬底具有金属‑绝缘体‑金属区域和另一区域；以及金属‑绝缘体‑金属电容器，形成在所述衬底上，其中，所述金属‑绝缘体‑金属电容器包括：底电极，形成在所述衬底上方，其中，所述底电极是顶部金属层的第一部分；绝缘层，形成在所述底电极上；以及顶电极，形成在所述绝缘层上；重分布层(RDL)，形成所述顶部金属层的在另一区域中的第二部分上，所述重分布层与所述顶电极和所述顶部金属层的第二部分直接接触。
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