[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410307558.4 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105448644B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 陈怡骏;冯健;游宽结 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供若干衬底，所述衬底具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面，所述衬底的第一表面具有器件层；提供物理气相沉积设备，所述物理气相沉积设备包括相互连通的预处理腔和工艺腔；将若干衬底置于所述工艺腔内，采用物理气相沉积工艺在若干衬底的第二表面或所述器件层表面形成导电层；在形成导电层之后，使若干衬底进入预处理腔内，对所述导电层进行退火处理。所形成的导电层电学厚度均一，电性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供多个衬底，所述衬底具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面，所述衬底的第一表面具有器件层；提供物理气相沉积设备，所述物理气相沉积设备包括相互连通的预处理腔和工艺腔；将所述多个衬底置于所述工艺腔内，采用物理气相沉积工艺在所述多个衬底的第二表面或所述器件层表面形成导电层，所述物理气相沉积工艺的温度小于200℃，时间大于2小时，所述物理气相沉积工艺包括：多次相互交替循环的沉积过程和冷却过程，直至形成厚度为3μm～5μm的导电层为止；在形成导电层之后，使所述多个衬底进入预处理腔内，对所述导电层进行退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
