[发明专利]ESD保护电路、半导体装置、车载电子装置和系统有效

专利信息
申请号: 201410305434.2 申请日: 2014-06-30
公开(公告)号: CN104253126B 公开(公告)日: 2018-11-20
发明(设计)人: 林豊 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李兰;孙志湧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及ESD保护电路、半导体装置、车载电子装置和系统。提供了一种ESD保护电路,包括:功率MOS晶体管,其设置在外部连接端子与参考电压端子之间;箝位电路,其设置在外部连接端子与功率MOS晶体管的栅极之间,并且将外部连接端子与功率MOS晶体管的栅极之间的电压箝位在预定值或更小;第一电阻性元件,其设置在功率MOS晶体管的栅极与源极之间;以及MOS晶体管,其与功率MOS晶体管串联设置并且具有彼此共同地连接的栅极和源极。
搜索关键词: esd 保护 电路 半导体 装置 车载 电子 系统
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:第一外部连接端子,所述第一外部连接端子从第一受控装置接收第一信息;第二外部连接端子,所述第二外部连接端子将第二信息输出到第二受控装置;控制单元,所述控制单元基于所述第一信息产生所述第二信息;以及ESD保护电路,所述ESD保护电路被分别提供到至少所述第一外部连接端子和所述第二外部连接端子,其中,所述ESD保护电路每个均包括:功率MOS晶体管,所述功率MOS晶体管设置在所述第一外部连接端子或所述第二外部连接端子与参考电压端子之间;箝位电路,所述箝位电路设置在所述第一外部连接端子或所述第二外部连接端子与所述功率MOS晶体管的栅极之间,并且将所述第一外部连接端子或所述第二外部连接端子与所述功率MOS晶体管的栅极之间的电压箝位在预定值或更小;电阻性元件,所述电阻性元件设置在所述功率MOS晶体管的栅极与源极之间;以及MOS晶体管,所述MOS晶体管与所述功率MOS晶体管串联设置,并且具有彼此共同地连接的栅极和源极。
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