[发明专利]ESD保护电路、半导体装置、车载电子装置和系统

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一外部连接端子，所述第一外部连接端子从第一受控装置接收第一信息；

第二外部连接端子，所述第二外部连接端子将第二信息输出到第二受控装置；

控制单元，所述控制单元基于所述第一信息产生所述第二信息；以及

ESD保护电路，所述ESD保护电路被分别提供到至少所述第一外部连接端子和所述第二外部连接端子，其中，

所述ESD保护电路每个均包括：

功率MOS晶体管，所述功率MOS晶体管设置在所述第一外部连接端子或所述第二外部连接端子与参考电压端子之间；

箝位电路，所述箝位电路设置在所述第一外部连接端子或所述第二外部连接端子与所述功率MOS晶体管的栅极之间，并且将所述第一外部连接端子或所述第二外部连接端子与所述功率MOS晶体管的栅极之间的电压箝位在预定值或更小；

电阻性元件，所述电阻性元件设置在所述功率MOS晶体管的栅极与源极之间；以及

MOS晶体管，所述MOS晶体管与所述功率MOS晶体管串联设置，并且具有彼此共同地连接的栅极和源极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述控制单元包括逻辑单元和外围电路，

所述逻辑单元对输入逻辑信号执行算术处理，并且输出所述第二信息，并且

所述外围电路将所述第一信息转换成所述逻辑信号并且将所述逻辑信号传递到所述逻辑单元，并且通过所述第二外部连接端子将从所述逻辑单元接收到的所述第二信息输出到外部。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述外围电路包括IF单元和电爆驱动器，

所述IF单元在输入级的I/O块处接收所述第一信息，将接收到的所述第一信息转换成所述逻辑信号，将所述逻辑信号传递到所述逻辑单元，并且

所述电爆驱动器通过所述第二外部连接端子将从所述逻辑单元接收到的所述第二信息输出到外部。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，形成有寄生双极晶体管，所述寄生双极晶体管具有分别与所述MOS晶体管的漏极、背栅和源极对应的集电极、基极和发射极。

5.一种车载电子装置，包括：

半导体装置；以及

算术处理单元，所述算术处理单元从所述半导体装置接收信号，对所述信号执行算术处理，并且将处理结果传输到所述半导体装置，所述半导体装置和所述算术处理单元形成在基板上，其中，

所述半导体装置包括：

第一外部连接端子，所述第一外部连接端子从第一受控装置接收第一信息；

第二外部连接端子，所述第二外部连接端子将第二信息输出到第二受控装置；

控制单元，所述控制单元基于所述第一信息产生所述第二信息；以及

ESD保护电路，所述ESD保护电路被分别提供到至少所述第一外部连接端子和所述第二外部连接端子，并且

所述ESD保护电路每个均包括：

功率MOS晶体管，所述功率MOS晶体管设置在所述第一外部连接端子或所述第二外部连接端子与参考电压端子之间；

箝位电路，所述箝位电路设置在所述第一外部连接端子或所述第二外部连接端子与所述功率MOS晶体管的栅极之间，并且将所述第一外部连接端子或所述第二外部连接端子与所述功率MOS晶体管的栅极之间的电压箝位在预定值或更小；

电阻性元件，所述电阻性元件设置在所述功率MOS晶体管的栅极与源极之间；以及

MOS晶体管，所述MOS晶体管与所述功率MOS晶体管串联设置，并且具有彼此共同地连接的栅极和源极。

6.根据权利要求5所述的车载电子装置，其中，形成有寄生双极晶体管，所述寄生双极晶体管具有分别与所述MOS晶体管的漏极、背栅和源极对应的集电极、基极和发射极。