[发明专利]半导体压力传感器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410302783.9 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104251758B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 松並和宏;植松克之;西川睦雄;篠田茂 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;H01L29/84;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王颖;尹淑梅 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在排气系统等劣恶的环境下也能够抑制腐蚀的半导体压力传感器装置及其制造方法。半导体压力传感器装置具备：具有成为真空基准室9的凹部10的半导体基板1，配置在半导体基板1的正面的膜片2a，应变片电阻2，配置在半导体基板1上的铝布线层4，配置在铝布线层4上的作为TiN膜5的防反射膜，配置在该TiN膜5上的作为Cr膜7a与Pt膜7b的层叠膜的粘接度确保/扩散防止膜7和层叠在粘接度确保/扩散防止膜7上的Au膜8。通过将由Cr膜7a、Pt膜7b、Au膜8构成的层叠金属膜13的端面14加工成朝向上述半导体基板1侧变宽的锥形，可防止在粘接度确保/扩散防止膜7的端面形成凹陷，抑制由排气引起的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 压力传感器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体压力传感器装置，其特征在于，其是设置于内燃机的排气系统的半导体压力传感器装置，具备：配置在半导体基板上并根据压力而变形的膜片；连接并配置于所述膜片的应变片；连接到该应变片并隔着层间绝缘膜配置在所述半导体基板上的金属布线层；具有露出该金属布线层的开口部的钝化膜；配置在所述露出的金属布线层上和覆盖该金属布线层的端部的所述钝化膜上的粘接度确保/扩散防止层；和构成层叠在该粘接度确保/扩散防止层上的焊盘电极的导电层，其中，由所述粘接度确保/扩散防止层和所述导电层构成的层叠金属层的端面呈朝向所述半导体基板侧变宽的正锥形形状。
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