[发明专利]半导体压力传感器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体压力传感器装置，其特征在于，

其是设置于内燃机的排气系统的半导体压力传感器装置，具备：

配置在半导体基板上并根据压力而变形的膜片；

连接并配置于所述膜片的应变片；

连接到该应变片并隔着层间绝缘膜配置在所述半导体基板上的金属布线层；

具有露出该金属布线层的开口部的钝化膜；

配置在所述露出的金属布线层上和覆盖该金属布线层的端部的所述钝化膜上的粘接度确保/扩散防止层；和

构成层叠在该粘接度确保/扩散防止层上的焊盘电极的导电层，

其中，由所述粘接度确保/扩散防止层和所述导电层构成的层叠金属层的端面呈朝向所述半导体基板侧变宽的正锥形形状。

2.根据权利要求1所述的半导体压力传感器装置，其特征在于，

玻璃基板通过静电接合被固定在所述半导体基板的背面。

3.根据权利要求1或2所述的半导体压力传感器装置，其特征在于，

所述金属布线层为铝布线层，所述粘接度确保/扩散防止层从所述半导体基板侧起朝向上方是Cr膜与Pt膜的层叠膜或Ti膜与Pt膜的层叠膜，所述导电层是层叠在所述Pt膜上的Au膜。

4.根据权利要求1或2所述的半导体压力传感器装置，其特征在于，

所述粘接度确保/扩散防止层是Cr膜或Ti膜中的任一单层膜，所述导电层为Pt膜或Au膜。

5.根据权利要求1或2所述的半导体压力传感器装置，其特征在于，

在所述金属布线层与所述粘接度确保/扩散防止层之间设有防反射膜。

6.根据权利要求5所述的半导体压力传感器装置，其特征在于，

所述防反射膜为TiN膜。

7.一种半导体压力传感器装置的制造方法，其特征在于，具备：

在半导体基板上形成金属布线层的工序；

形成具有露出所述金属布线层的开口部的钝化膜的工序；和

将粘接度确保/扩散防止层以及导电层形成在露出的所述金属布线层上以及覆盖所述金属布线层的端部的所述钝化膜上的层叠金属层形成工序，

其中，所述层叠金属层形成工序具备：

在所述半导体基板的正面侧整面通过溅射而将所述粘接度确保/扩散防止层和所述导电层成膜的工序；

在成膜的所述导电层上选择性地形成抗蚀掩模的工序；和

通过离子铣削来蚀刻所述导电层和所述粘接度确保/扩散防止层的工序，

将所述层叠金属层的端面形成为朝向所述半导体基板侧变宽的正锥形形状。

8.根据权利要求7所述的半导体压力传感器装置的制造方法，其特征在于，

所述层叠金属层的端面的正锥形形状是通过隔着掩模使Ar离子碰撞所述层叠金属层来进行蚀刻的离子铣削而形成的。

9.根据权利要求7或8所述的半导体压力传感器装置的制造方法，其特征在于，还具备：

在所述半导体基板的背面通过静电接合来固定玻璃基板的工序。

10.根据权利要求7或8所述的半导体压力传感器装置的制造方法，其特征在于，还具备：

在所述金属布线层上形成防反射膜的工序，

其中，所述粘接度确保/扩散防止层以及所述导电层形成在所述防反射膜上。

11.根据权利要求8所述的半导体压力传感器装置的制造方法，其特征在于，

以与所述Ar离子的射程轴垂直的方向为基准，所述层叠金属层的表面以形成锐角的方式向下方倾斜。

12.权利要求11所述的半导体压力传感器装置的制造方法，其特征在于，

设定所述Ar离子的射程轴为水平，以与该射程轴垂直的方向为基准，所述层叠金属层的表面向下方倾斜的角度θ为0°≤θ≤50°。

13.根据权利要求12所述的半导体压力传感器装置的制造方法，其特征在于，

所述角度θ为10°≤θ≤50°。