[发明专利]一种制作闪存的方法

摘要

本发明公开了一种制作闪存的方法，包括提供半导体衬底，对所述半导体衬底执行阱注入工艺；在所述半导体衬底上形成栅极堆叠结构；执行注入工艺，以在所述半导体衬底中所述栅极堆叠结构的两侧形成源区和漏区。本发明的制作方法采用存储单元源漏区(CSD)的口袋注入工艺代替传统的栅极堆叠结构的阈值电压注入工艺，同时该制作方法利用硼离子和砷离子的不同热扩散速率来形成口袋掺杂轮廓，进而调整所述器件沟道的阈值电压。根据本发明的制作方法避免了热处理工艺对器件沟道掺杂轮廓的影响，减小了沟道电容从而减少了编程电压干扰(Vpgm disturb)，最终提高了NAND闪存存储器的整体性能和良品率。

主权项

1.一种制作闪存的方法，包括：提供半导体衬底，对所述半导体衬底执行阱注入工艺；在所述半导体衬底上形成栅极堆叠结构；执行注入工艺，以在所述半导体衬底中所述栅极堆叠结构的两侧形成源区和漏区；其中，所述注入工艺包括口袋注入，所述口袋注入避免了热处理工艺对器件沟道掺杂轮廓的影响，减小了沟道电容从而减少了编程电压干扰。