[发明专利]一种制作闪存的方法有效
| 申请号： | 201410276470.0 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN105206579B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 曹恒;杨海玩;刘涛;周朝锋;仇圣棻 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 闪存 方法 | ||
1.一种制作闪存的方法，包括：
提供半导体衬底，对所述半导体衬底执行阱注入工艺；
在所述半导体衬底上形成栅极堆叠结构；
执行注入工艺，以在所述半导体衬底中所述栅极堆叠结构的两侧形成源区和漏区；
其中，所述注入工艺包括口袋注入，所述口袋注入避免了热处理工艺对器件沟道掺杂轮廓的影响，减小了沟道电容从而减少了编程电压干扰。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述口袋注入用于调整沟道的阈值电压。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述口袋注入的掺杂剂包括硼。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述口袋注入的倾斜角度范围为0°～10°。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述口袋注入的能量为5KeV～10KeV，离子剂量为1e13～5e14原子/cm2。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极叠层结构从下而上依次包括隧穿氧化层、浮栅、栅介电层和控制栅。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述源区和所述漏区的注入掺杂剂包括砷。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述栅极堆叠结构之后执行氧化工艺的步骤。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在执行所述注入工艺之后执行退火工艺的步骤。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述栅极堆叠结构之前，所述方法不包括用于调整所述沟道阈值电压的离子注入步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
