[发明专利]一种制作闪存的方法

说明书

本发明公开了一种制作闪存的方法，包括提供半导体衬底，对所述半导体衬底执行阱注入工艺；在所述半导体衬底上形成栅极堆叠结构；执行注入工艺，以在所述半导体衬底中所述栅极堆叠结构的两侧形成源区和漏区。本发明的制作方法采用存储单元源漏区(CSD)的口袋注入工艺代替传统的栅极堆叠结构的阈值电压注入工艺，同时该制作方法利用硼离子和砷离子的不同热扩散速率来形成口袋掺杂轮廓，进而调整所述器件沟道的阈值电压。根据本发明的制作方法避免了热处理工艺对器件沟道掺杂轮廓的影响，减小了沟道电容从而减少了编程电压干扰(V_pgm disturb)，最终提高了NAND闪存存储器的整体性能和良品率。

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种制作闪存的方法。

背景技术

存储器用于存储大量数字信息，最近据调查显示，在世界范围内，存储器芯片大约占了半导体交易的30％。多年来，工艺技术的进步和市场需求催生了越来越多高密度的各种类型存储器，如RAM(随机存储器)、SRAM(静态随机存储器)、DRAM(动态随机存储器)和FRAM(铁电存储器)等。其中，闪存存储器即FLASH，由于具有即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息；在存储器电可擦除和可重复编程时不需要特殊的高电压；以及成本低、密度大等特点，使其成为非易失性半导体存储技术的主流。其独特的性能使其广泛的运用于各个领域，包括嵌入式系统，如PC及设备、电信交换机、蜂窝电话、网络互连设备、仪器仪表和汽车器件，同时还包括新兴的语音、图像、数据存储器类产品。

随着对存储器具有高密度和低成本要求的提高，NAND flash存储器的单元尺寸也随之显著的减小。为了获得稳健的NAND flash器件单元结构，制作该NAND flash器件的工艺变得更加复杂，同时，产生了一系列的问题，例如，编程效率、编程干扰、阈值电压(Vt)均一性等问题。

因此，目前急需一种制作半导体器件的方法，以解决现有技术中存在的问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提出了一种制作闪的方法，包括：提供半导体衬底，对所述半导体衬底执行阱注入工艺；在所述半导体衬底上形成栅极堆叠结构；执行注入工艺，以在所述半导体衬底中所述栅极堆叠结构的两侧形成源区和漏区；其中，所述注入工艺包括口袋注入。

示例性地，所述口袋注入用于调整沟道的阈值电压。

示例性地，所述口袋注入的掺杂剂包括硼。

示例性地，所述口袋注入的倾斜角度范围为0°～10°。

示例性地，所述口袋注入的能量为5KeV～10KeV，离子剂量为1e¹³～5e¹⁴原子/cm²。

示例性地，所述栅极叠层结构从下而上依次包括隧穿氧化层、浮栅、栅介电层和控制栅。

示例性地，形成所述源区和所述漏区的注入掺杂剂包括砷。

示例性地，还包括在形成所述栅极堆叠结构之后执行氧化工艺的步骤。

示例性地，还包括在执行所述注入工艺之后执行退火工艺的步骤。

示例性地，在形成所述栅极堆叠结构之前，所述方法不包括用于调整所述沟道阈值电压的离子注入步骤。