[发明专利]一种检测LED芯片或封装散热性能的方法在审
| 申请号： | 201410275560.8 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN105301468A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 李为军;黄孙港 | 申请（专利权）人： | 上海时代之光照明电器检测有限公司;国家电光源质量监督检验中心（上海）;国家灯具质量监督检验中心 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01M11/00 |
| 代理公司： | 上海世贸专利代理有限责任公司 31128 | 代理人： | 叶克英 |
| 地址： | 201108 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测LED芯片或封装有效散热性能的方法。本发明提出基于LED芯片或封装结温与时间依赖关系获得LED芯片或封装产品散热性能优劣的新方法。通过LED芯片或封装从开启到稳定时间内输入电压随时间的变化，结合LED芯片或封装正向电压与结温曲线，得到结温（T）和时间（t）的动态曲线，利用指数拟合该曲线获得表征该LED芯片或封装系统散热性能的散热系数。本发明可以方便快速的确定LED芯片或封装系统的散热性能，对于了解LED芯片或封装散热性能都具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 led 芯片 封装 散热 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种检测LED芯片或封装散热性能的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：A、将被测试LED芯片或封装放入到积分球内，接上具有直流输出功能的电源，使得LED芯片或封装能够按正常工作模式工作，初始时电源开关处于关断状态；B、开启LED芯片或封装的工作电源，开启积分球内温度记录仪，记录LED芯片或封装接通工作电源前积分球内环境温度；C、开启LED芯片或封装的工作电源，使得LED芯片或封装在设定电流下工作，电压仪和温度记录仪就记录下自LED芯片或封装开始发光起往后各个时刻的LED芯片或封装的输入电压值和相应的球内温度值，直到LED芯片或封装达到了正常稳定工作状态；D、利用LED正向电压降和结温曲线的测量装置，获得该LED芯片或封装正向电压与LED芯片或封装LED结温的Vf－TJ关系曲线；E、利用步骤D获得的Vf－TJ关系曲线，找到LED芯片或封装的开启工作电源后不同时间积分球内环境温度的变化所引起的正向电压值的变化ΔVf1、ΔVf2、ΔVf3……ΔVfn；F、对LED芯片或封装实际输入电压值进行修正;然后,再次利用步骤D获得的Vf－TJ关系曲线，获得不同时刻修正后的LED芯片或封装实际输入电压值下的LED芯片或封装结温；G、由步骤F获得的每个时刻对应的结温T为纵坐标，横坐标为时间t,形成了LED芯片或封装正常工作状态下结温随时间的温升关系曲线；H、利用公式T= A＋B×exp(‑C×t )对所述温升关系曲线进行拟合计算，其中T 和t 表示LED芯片或封装内LED模块结温和时间，A、B 和C是拟合参量，通过拟合后便可以获得该LED芯片或封装有效散热系数C。
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- 钱森;陈育新;王志刚;庞兵;周大川;陈鹏宇;宋京;陈伟成 - 中国科学院高能物理研究所;天津市森特尔新技术有限公司
- 2019-08-08 - 2019-10-25 - G01R31/26
- 本发明公开了一种多路级联电源驱动模块，其特征在于，包括多个电源驱动模块，每一电源驱动模块包括一信号输出接口、一接线端子和一通讯端子；各电源驱动模块分别通过通讯端子与上位PC机并联；其中，每一所述电源驱动模块包括微控制器、电源模块、D/A转换器、DC/DC控制器、倍压整流滤波电路、电流检测模块、电压检测模块、温度检测模块和参数存储模块；该微控制器，用于根据环境温度修正电源模块的输出电压，然后根据输出电压与设定值的偏差产生一数字控制量并将其发送给D/A转换器；D/A转换器与DC/DC控制器连接；DC/DC控制器与倍压整流滤波电路连接；倍压整流滤波电路的输出端经电流检测模块与SiPM连接。
- 用于MOSFET器件模型参数提取的方法及装置-201710272323.X
- 卜建辉;李莹;罗家俊;韩郑生 - 中国科学院微电子研究所
- 2017-04-24 - 2019-10-25 - G01R31/26
- 本发明属于器件建模技术领域，涉及一种用于MOSFET器件模型参数提取的测试方法及装置。方法包括：基于所述MOSFET器件的漏体结击穿电压，在不同体偏下的曲线测试中采用不同的体端偏置。装置包括：电压获取单元，用于获取在不同体偏下的曲线测试中采用的电压；曲线测试单元，用于根据所述电压获取单元确定的电压进行不同体偏下的曲线测试，获得测试数据；参数提取单元，用于根据所述曲线测试单元获得的测试数据进行所述MOSFET器件模型参数提取。由此解决了现有技术中的不能够兼顾既可以全面提取衬偏效应参数又不影响器件参数提取结果的技术问题，达到了确保MOS器件测试结果正确又兼顾体效应参数提取的技术效果。
- 一种基于开通dIds/dt的SIC MOSFET模块结温在线测量装置-201821617474.0
- 黄德雷;耿程飞;张经纬 - 徐州中矿大传动与自动化有限公司
- 2018-10-01 - 2019-10-25 - G01R31/26
- 本实用新型涉及一种基于开通dIds/dt的SIC MOSFET模块结温在线测量装置，所述测量装置包括采样整流电路、放大电路及数据处理模块；其中，所述采样整流电路用于在SIC MOSFET开通的瞬态时，采集到感应dIds/dt（漏极电流变化率）的感应电压整流得到一个稳定的电压值；所述放大电路用于对采样整流电路的输出电压值进行放大处理；所述数据处理模块用于将放大电路输出的电压值转化为数字信号，用于根据标定的该电压与直流母线电压、结温的关系通过查表来获取实际结温，还用于输出控制采样整流电路进行数据测量的准备信号；该方案解决了现有技术无法实时对SIC MOSFET结温在线快速提取的问题，提出的方案设计简单、易于实现，并且能够达到极快的响应速度。
- IGBT功率模块双脉冲自动测试平台-201822105626.5
- 王君会;徐国田;王帅;李晓峰;赵磊 - 天津瑞能电气有限公司
- 2018-12-14 - 2019-10-25 - G01R31/26
- 本实用新型公开了一种IGBT功率模块双脉冲自动测试平台，包括PLC、触摸屏、示波器、负载电感、直流电源AC/DC、电压传感器、放电电阻和双脉冲驱动电路，PLC分别连接触摸屏和直流电源AC/DC，直流电源AC/DC分别连接放电电阻和电压传感器，放电电阻接地，电压传感器分别连接被测IGBT功率模块和PLC，电压传感器还通过负载电感连接被测IGBT功率模块，PLC还通过双脉冲驱动电路连接被测IGBT功率模块，示波器连接被测IGBT功率模块。本实用新型能通过将测试平台的设备有效地连接配合，能够高精度、高效率地测试被测IGBT功率模块，对测试得出的相关数据进行分析，能够有效地确定该IGBT功率模块是否满足使用要求。
- 一种IGBT模块并联温度检测电路-201920074196.7
- 刘苏成;张永威;张严 - 南京亚派科技股份有限公司
- 2019-01-17 - 2019-10-25 - G01R31/26
- 本实用新型具体涉及一种IGBT模块并联温度检测电路，包括分压电路将并联的IGBT模块的NTC电阻分别电阻串联分压并输出两组IGBT模块温度信号电压值；比较器电路将两组温度信号电压值进行比较选择高的温度信号状态，将高的温度信号状态传输至模拟开关电路；模拟开关电路再将温度高的信号电压值输送到采样跟随调理电路。将经过采样跟随调理电路后的温度高的信号电压值通过压流线性隔离转换电路转化为等比的电流，最后再通过调理输出电路将电流值转换成一个可供DSP的A/D处理的模拟电压值。本方法可以解决IGBT并联后两个模块的温度都能得到在不多一路采样电路、不多占DSP采样资源情况下进行实时监测。
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