[发明专利]半导体封装件的制法在审
| 申请号： | 201410260874.0 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN105140135A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林畯棠;纪杰元;詹慕萱 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体封装件的制法，其先提供一设有半导体元件的第一承载件，且该第一承载件具有接合该半导体元件的间隔层，再形成一具有相对的第一表面及第二表面的封胶层于该间隔层上，使该封胶层包覆该半导体元件，且使该第一表面接合该间隔层；接着，形成多个开口于该封胶层的第二表面上，以使该开口连通该第一及第二表面；之后，形成第二承载件于该封胶层的第二表面上；最后移除该第一承载件及该间隔层，以外露出该半导体元件、该封胶层的第一表面与开口，所以于制作该开口时，仅会损害该间隔层，而不会损害该第二承载件的构造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 制法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件的制法，包括：提供一设有至少一半导体元件的第一承载件，且该第一承载件具有接合该半导体元件的间隔层；形成一具有相对的第一表面及第二表面的封胶层于该第一承载件的间隔层上，使该封胶层包覆该半导体元件，且使该第一表面接合该间隔层；形成至少一开口于该封胶层的第二表面上，以使该开口连通该第一及第二表面；形成第二承载件于该封胶层的第二表面上；以及移除该第一承载件及该间隔层，以外露出该半导体元件、该封胶层的第一表面与开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
