[发明专利]一种生长在图形化硅衬底上的半极性GaN薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201410256346.8 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN104037291B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/16;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种生长在图形化硅衬底上的半极性GaN薄膜，所述半极性GaN薄膜包括Si衬底以及在Si衬底的(001)晶面往Si衬底的(111)晶面朝向依次外延生长的AlN薄膜层、中间层和外延层。本发明还包括该GaN薄膜的制备方法，包括如下步骤将Si衬底进行蚀刻图案处理、然后依次外延AlN层、中间层和外延层。本发明的生长在图形化硅衬底上的半极性GaN薄膜及制备方法，具有质量高、性能好、成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 图形 衬底 极性 gan 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种生长在图形化硅衬底上的半极性GaN薄膜，其特征在于：所述半极性GaN薄膜包括Si衬底以及在Si衬底的(001)晶面往Si衬底的(111)晶面朝向依次外延生长的AlN薄膜层、中间层和外延层；所述中间层为一层高压、低Ⅴ/Ⅲ比的半极性GaN层；所述外延层为一层低压、高Ⅴ/Ⅲ比的半极性GaN层；所述Si衬底为图形化硅衬底，所述图形化硅衬底上设有间距相等、相互平行的三角形沟槽，三角形沟槽的侧面平行于Si衬底的(111)晶面；所述Si衬底上的三角形沟槽宽度为1μm，深度为0.707μm；所述图形化Si衬底的相邻三角形沟槽紧密相连。
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