[发明专利]半导体装置的检查方法

摘要

本发明的目的在于提供一种半导体装置的检查方法，其具有将终端构造中的绝缘膜和/或半绝缘膜的电荷去除的电荷去除工序。本发明涉及的半导体装置的检查方法具有第1检查工序，在该工序中，对在衬底(14)上形成有单元构造(10)和终端构造(12)的半导体装置的耐压进行检查，该单元构造(10)用于流过主电流，该终端构造(12)包围该单元构造；电荷去除工序，在该第1检查工序之后，在该电荷去除工序中，将该终端构造的在该衬底上方由绝缘膜(36)和/或半绝缘膜(38)形成的表面层(39)的电荷去除；以及第2检查工序，在该电荷去除工序之后，在该第2检查工序中，对该半导体装置的耐压进行检查。

主权项

一种半导体装置的检查方法，其特征在于，具有：第1检查工序，在该工序中，对在衬底上形成有单元构造和终端构造的半导体装置施加电压，该单元构造用于流过主电流，该终端构造包围所述单元构造；电荷去除工序，在所述第1检查工序之后，在该电荷去除工序中，将所述终端构造的在所述衬底的上方由绝缘膜和/或半绝缘膜形成的表面层的电荷去除；以及第2检查工序，在所述电荷去除工序之后，在该第2检查工序中，对所述半导体装置的耐压进行检查，利用所述第1检查工序，使所述表面层进行极化，在所述终端构造中，在所述衬底的表面侧中的与所述单元构造相反的部分，形成沟道截断部，在所述单元构造中，以与所述表面层的位于所述单元构造侧的部分接触的方式形成表面电极，在所述终端构造中，以与所述沟道截断部、和所述表面层的位于所述沟道截断部侧的部分接触的方式形成外周电极，在所述电荷去除工序中，将在电阻装置的一端形成的第1导电体抵接在所述表面电极上，将在所述电阻装置的另一端形成的第2导电体抵接在所述外周电极上。