[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201410246124.8 | 申请日： | 2014-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103985799B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 刘志彬;舒立明;刘明英;张东炎;王良均;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，依次包括衬底、缓冲层、n型导电层、发光区和p型导电层。所述发光区为多量子阱结构，其中至少一个量子阱结构包括Ⅲ族氮化物的阱层以及在阱层上的基于Ⅲ族氮化物的垒层，所述垒层包含至少一第一SiNx插入层。所述SiNx插入层可以有效减少垒层中的应力，使得生长发光区后的表面较平整，减少缺陷，提高载流子的复合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
发光二极管，依次包括衬底、缓冲层、n型导电层、发光区和p型导电层，其特征在于：所述发光区为多量子阱结构，其中至少一个量子阱结构包括：Ⅲ族氮化物的阱层以及在阱层上的基于Ⅲ族氮化物的垒层，所述垒层包含至少一第一SiNx插入层，所述第一SiNx插入层在所述垒层内形成离散的晶体结构。
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