[发明专利]超级结半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410244550.8 | 申请日： | 2014-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104465761B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 全珖延;崔彰容;禹赫;赵文秀;权纯琢 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;谭昌驰 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种超级结半导体装置和一种制造该超级结半导体装置的方法。超级结半导体装置包括：n型半导体区域，设置在基底中；两个或更多个p型半导体区域，沿与基底的表面平行的方向交替地设置成邻近于n型半导体区域；p型主体区，设置在p型半导体区中的至少一个上；以及源区，设置在p型主体区中，n型离子注入区沿着n型半导体区域的下端和p型半导体区域的下端形成。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超级结半导体装置，所述超级结半导体装置包括：n型半导体区域，设置在基底中；两个或更多个p型半导体区域，沿与基底的表面平行的方向交替地设置成邻近于n型半导体区域；p型主体区，设置在p型半导体区域中的至少一个上；以及源区，设置在p型主体区中，其中，n型离子注入区形成为遍布于n型半导体区域的下部分和p型半导体区域的下部分中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美格纳半导体有限公司，未经美格纳半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410244550.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种汽车保险杠喷涂装置
- 下一篇：涂料喷涂控制系统
- 同类专利
- 专利分类
